1.判斷晶閘管極性及好壞的方法

　　選擇指針萬(wàn)用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量晶閘管的任兩個(gè)極之間的正反向電阻，其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無(wú)窮大，則判定該極為陽(yáng)極(A)。然后選擇指針萬(wàn)用表的R×1Ω檔。黑表筆接晶閘管的陽(yáng)極(A)，紅表筆接晶閘管的其中一極假設(shè)為陰極(K)，另一極為控制極(G)。黑表筆不要離開陽(yáng)極(A)同時(shí)觸擊控制極(G)，若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住，則判定晶閘管的假設(shè)極性陰極(K)和控制極(G)是正確的，且該晶閘管元件為好的晶閘管。若萬(wàn)用表指針不偏轉(zhuǎn)，顛倒晶閘管的假設(shè)極性再測(cè)量。若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住，則晶閘管的第二次假設(shè)極性為正確的，該晶閘管為好的晶閘管。否則為壞的晶閘管。

　　2.判斷IGBT極性及好壞的方法

　　判斷IGBT極性：選擇指針萬(wàn)用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量IGBT的任兩個(gè)極之間的正反向電阻，其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無(wú)窮大，則判定該極為IGBT的柵極(G)。測(cè)量另外兩極的正反向電阻，在正向電阻時(shí)，紅表筆接的為IGBT的集電極(C)，黑表筆接的為IGBT的發(fā)射極(E)。

　　判斷IGBT好壞：選擇指針萬(wàn)用表的R×10KΩ檔。黑表筆接集電極(C)，紅表筆接發(fā)射極(E)，用手同時(shí)觸擊一下集電極(C)和控制極(G)。若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住，再用手同時(shí)觸擊一下發(fā)射極(E)和控制極(G)，萬(wàn)用表指針回零，則該IGBT為好的，否則為壞的IGBT。

　　功率模塊的好壞判斷主要是對(duì)功率模塊內(nèi)的續(xù)流兩極 管的判斷.對(duì)于IGBT模塊我們還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否導(dǎo)通和關(guān)斷。

　　3.變頻器逆變器IGBT模塊檢測(cè):

　　將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉�極管測(cè)試檔,測(cè)試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性,來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。

　　以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除,使用二極管測(cè)試檔，紅表筆接P(集電極c1)，黑表筆依次測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大;將表筆反過(guò)來(lái)，黑表筆接P，紅表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N(發(fā)射極e2)，黑表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右;黑表筆接P，紅表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同，若出現(xiàn)差別說(shuō)明IGBT模塊性能變差，應(yīng)予更換。IGBT模塊損壞時(shí),只有擊穿短路情況出現(xiàn)。

　　紅、黑兩表筆分別測(cè)柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性, 萬(wàn)用表兩次所測(cè)的數(shù)值都為最大，這時(shí)可判定IGBT模塊門極正常。如果有數(shù)值顯示,則門極性能變差，此模塊應(yīng)更換。當(dāng)正反向測(cè)試結(jié)果為零時(shí),說(shuō)明所檢測(cè)的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時(shí)電路板保護(hù)門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。